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序号 | 公布号 | 发明名称 | 公布日期 | 摘要 |
1 | TWI255418 | 系统晶片式的声音触发控制器 | 2006.05.21 | 一种系统晶片式的声音触发控制器,此控制器主要包含一个触发源作为感应器,一位准调整器调整感应到的电压作 |
2 | CN101330293A | 支持动态字节长度的存储器存取装置 | 2008.12.24 | 本发明揭露一种支持动态字节长度的存储器存取装置,特别是支持动态调整字节长度的编码/解码系统的并行式存 |
3 | CN101330066A | 减少占用晶粒体积的晶片结构及其微调方法 | 2008.12.24 | 本发明提供一种减少占用晶粒体积的晶片结构及其微调方法。晶片上定义有多条划线(scribe lines |
4 | TW502503 | 应用于资料压缩与解压缩之纯量量化的时域波形演算法 | 2002.09.11 | 一种应用于资料压缩与解压缩之纯量量化式时域型波形编码与解码演算法,该演算法系藉虚适应性(pseudo |
5 | TW245791 | 指令式多频道电子音记录方法 | 1995.04.21 | 本发明系关于一种指令式多频道电子音记录方法,尤指一种主要将乐谱的进行速度(TEMPO)、音阶(PIT |
6 | CN1134008A | 指令式多频道电子音记录方法 | 1996.10.23 | 本发明是关于一种指令式多频道电子音记录方法,尤指一种主要将乐谱的进行速度(TEMPO)、音阶(PIT |
7 | TW200410128 | 系统晶片式的声音触发控制器 | 2004.06.16 | 一种系统晶片式的声音触发控制器,此控制器主要包含一个触发源作为感应器,一位准调整器调整感应到的电压作 |
8 | TWI416301 | 参考电压与电流电路 | 2013.11.21 | 本发明提供一种参考电压与电流电路,包含一正温度系数参考电压与电流电路、以及一负温度系数参考电压与电流 |
9 | TWI416299 | 逆向电压保护器 | 2013.11.21 | 本发明提供一种逆向电压保护器,包含一最小传递脉宽(MPPW)电晶体、以及一选择电路。该选择电路系由一 |
10 | CN103092570A | 平行处理来自单一程序存储器的单芯片双核心微处理器架构 | 2013.05.08 | 本发明提供一种可平行处理来自单一程序存储器的单芯片双核心微处理器架构,包含一石英震荡器、一频率产生器 |
11 | CN102969800A | 一种一对多点的无线共振能量传输系统 | 2013.03.13 | 本发明提供一种一对多点的无线共振能量传输系统,包含一共振发射线圈、以及至少一个共振接收线圈;其中该共 |
12 | TWI375399 | 低电压重置电路 | 2012.10.21 | 一种低电压重置电路,系包括第一NMOS电晶体、第一PMOS电晶体、第二PMOS电晶体、第三PMOS电 |
13 | CN102654945A | 颜色辨识的方法 | 2012.09.05 | 本发明公开了一种颜色辨识的方法,包含一颜色学阶段以及一颜色辨识阶段。此颜色学阶段包括的步骤:准备多帧 |
14 | TWI327828 | 支援动态字节长度的记忆体存取装置 | 2010.07.21 | 本发明揭露一种支援动态字节长度的记忆体存取装置,特别是支援动态调整字节长度之编码/解码系统之并行式记 |
15 | CN101325417A | 支持动态调整字节长度的编码方法 | 2008.12.17 | 本发明公开了一种支持动态调整字节长度的编码方法,本发明的编码方法包含下列步骤:设定编码器的可容许误差 |
16 | TW200847651 | 支援动态字节长度的记忆体存取装置 | 2008.12.01 | 本发明揭露一种支援动态字节长度的记忆体存取装置,特别是支援动态调整字节长度之编码/解码系统之并行式记 |
17 | TW200847255 | 减少占用晶粒体积之晶圆结构及其微调方法 | 2008.12.01 | 在本发明减少占用晶粒体积之晶圆结构中,晶圆上定义有复数条切割道(scribe lines),而界定出 |
18 | TW200847650 | 支援动态调整字节长度的编码方法 | 2008.12.01 | 本发明揭露一种支援动态调整字节长度的编码与解码方法,本编码方法系应用于一般之编码演算法中,在压缩品质 |
19 | CN1508970A | 系统晶片式的声音触发控制器 | 2004.06.30 | 本发明涉及一种系统晶片式的声音触发控制器,此控制器主要包括一个触发源作为感应器,一电压调整器调整感应 |
20 | CN1069985C | 指令式多频道电子音记录方法及其装置 | 2001.08.22 | 一种指令式多频道电子音记录方法及其装置,尤指一种主要将乐谱的进行速度(TEMPO)、音阶(PITCH |
21 | CN1068470C | 可自动选用内、外振荡电阻的单晶片振荡产生器 | 2001.07.11 | 本发明有关一种可自动选用内、外振荡电阻的单晶片振荡产生器,是利用一振荡电阻的介面电路自动检测晶片的振 |
22 | TW362285 | 多重住址线解码的N﹢埋层位元线型仅读记忆体电路 | 1999.06.21 | 本发明系有关一种多重位址线解码的N+埋层位元线型仅读记忆体电路,尤指一种可弹性多重解码分割记忆体资料 |
23 | CN1187716A | 可自动选用内、外振荡电阻的单晶片振荡产生器 | 1998.07.15 | 本发明有关一种可自动选用内、外振荡电阻的单晶片振荡产生器,是利用一振荡电阻的介面电路自动检测晶片的振 |
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